[发明专利]一维棒状空心二氧化硅纳米囊及其制备方法有效
申请号: | 201410788250.6 | 申请日: | 2014-12-17 |
公开(公告)号: | CN104556069A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 龚俊波;路平超;董伟兵;侯杰;王静康;尹秋响 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | C01B33/18 | 分类号: | C01B33/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 王丽 |
地址: | 300072 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本发明是涉及一维棒状空心二氧化硅纳米囊及其制备方法;外貌为棒状,长径比为1.5-4.5,空壳厚度为20-40nm。将表面活性剂和浓氨水搅拌;分两次加入硅源,得到双层硅产品;然后加入聚乙烯吡咯烷酮,超声分散于水中,离心洗涤;再加入刻蚀剂,反应后,经离心洗涤、干燥、煅烧得产品。本发明首次制得了长径比可以灵活控制、内部空间大、形貌均一和易修饰的一维棒状空心二氧化硅纳米囊。在合成、催化、控释和生物应用等方面有着广阔的应用前景,为纳米材料领域新增加了特殊的一员;本发明的制备方法原料来源广泛、操作条件简单、制备成本低廉及易于大批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一维棒状 空心 二氧化硅 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一维棒状空心二氧化硅纳米囊,其特征在于:一维棒状空心二氧化硅纳米囊外貌为棒状,长径比为1.5‑4.5,空壳厚度为20‑40nm。
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