[发明专利]一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法在审
申请号: | 201410781212.8 | 申请日: | 2014-12-16 |
公开(公告)号: | CN104465462A | 公开(公告)日: | 2015-03-25 |
发明(设计)人: | 徐华蕊;朱归胜;颜东亮 | 申请(专利权)人: | 桂林电子科技大学 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C14/35;B23K26/364 |
代理公司: | 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 | 代理人: | 邹超贤 |
地址: | 541004 广*** | 国省代码: | 广西;45 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为:①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜,并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理;②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位,并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上;③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件,并设置激光参数和运动参数;④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化,无需取出,具有工艺简单、易于工业化的特点,特别适合于制作各种多层薄膜元器件。 | ||
搜索关键词: | 一种 激光 刻蚀 用于 磁控溅射 薄膜 图案 制作方法 | ||
【主权项】:
一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的方法,其特征在于:采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜,并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理,再集成在磁控溅射仪上的激光与溅射台上的基片进行定位,并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上,过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件,并设置激光参数和运动参数,动激光刻蚀机,激光束对薄膜进行图案化刻蚀得到薄膜图案,工艺操作步骤为:(1)在磁控溅射仪上安装靶材和基片;(2)将磁控溅射仪抽真空,调节并设定相应的溅射工艺参数;(3)薄膜沉积,并依据材料种类和工艺要求决定是否在薄膜沉积金属或无机非金属氧化物的过程中采用脉冲激光束对基片进行加热处理; (4)薄膜沉积完成后,将集成在磁控溅射仪上的激光与溅射台上的基片进行定位,并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上;(5)将计算机设计好的刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件,并设置激光参数和运动参数;(6)启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀得到薄膜图案;(7)如涉及多层薄膜的图案化可根据需要重复上述全部或个别步骤得到薄膜图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于桂林电子科技大学,未经桂林电子科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410781212.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多尺寸LED芯片兼容石英清洗提篮
- 下一篇:涂覆显影装置和涂覆显影方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造