[发明专利]一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法在审
| 申请号： | 201410777229.6 | 申请日： | 2014-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN104575864A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 潘道成;陶影;李伸杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 南小平 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法，属于透明导电薄膜以及防静电涂层技术领域。解决现有技术中银纳米线/无机金属氧化物复合导电薄膜是通过两步法制备的，工艺复杂的技术问题。该方法包括：制备可溶的金属氧化物前体溶液；将制备的金属氧化物前体溶液与银纳米线的分散液混合，得到可溶的金属氧化物/银纳米线混合分散液，经过湿法加工技术在基底上面成膜；最后经过高温退火、紫外臭氧照射或氧等离子处理获得金属氧化物/银纳米线复合导电网络。该方法实现一步法制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络，大大简化了制备工艺，节约了生成成本，制备的复合导电网络具有良好的机械强度、较高的可见光透过率和较低的方阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 制备 金属 氧化物 纳米 复合 导电 网络 方法 | ||
【主权项】：
一种直接制备金属氧化物/银纳米线复合导电网络的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：制备可溶的金属氧化物前体溶液；步骤二：把步骤一制备的金属氧化物前体溶液与银纳米线的分散液混合，得到可溶的金属氧化物/银纳米线混合分散液，经过湿法加工技术在基底上面成膜；步骤三：最后经过高温退火、紫外臭氧照射或者氧等离子处理获得金属氧化物/银纳米线复合导电网络；所述的金属氧化物为钛、锆和锡的金属氧化物中的一种或多种；或者所述的金属氧化物为钒、钼和钨的金属氧化物中的一种或多种；或者所述的金属氧化物为硅氧化物。
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