[发明专利]高保持电压可控硅结构在审
| 申请号： | 201410768622.9 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104600104A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陶园林 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;朱梅 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高保持电压可控硅结构，其适用于电源ESD保护，该可控硅结构包括P型衬底，P型衬底内设有N型埋层，N型埋层上注有高压N阱，高压N阱内注有第一N+区、第一P+区、第三N+区和低压P阱，低压P阱内注有第二N+区和第二P+区。器件的两边P型衬底上均覆盖有氧化隔离层，第二N+区与第三N+区也由氧化隔离层隔开。本发明的高保持电压可控硅结构，由于具有较高的保持电压，故适合应用于芯片中对电源的ESD保护，并且其工艺实现可与业界常用的高压CMOS和BCD工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 保持 电压 可控硅 结构 | ||
【主权项】：
一种高保持电压可控硅结构，包括P型衬底(101)，所述P型衬底(101)内设有N型埋层(102)，所述N型埋层(102)上注有高压N阱(103)，所述高压N阱(103)内依次并排注有第一N+区(104)、第一P+区(105)和低压P阱(109)，所述低压P阱(109)内依次并排注有第二N+区(107)和第二P+区(108)，其中，在所述第一P+区(105)与所述第二N+区(107)之间注有第三N+区(106)，所述第三N+区(106)的一部分位于所述高压N阱(103)内，另一部分位于所述低压P阱(109)内，且所述第三N+区(106)与所述第二N+区(107)之间间隔有第二氧化隔离层(110b)；所述P型衬底(101)在所述可控硅结构的边缘延伸到所述可控硅结构的表面，且在所述可控硅结构的表面位于所述P型衬底(101)的区域覆盖有第一氧化隔离层(110a、110a’)。
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