[发明专利]高保持电压可控硅结构在审
| 申请号： | 201410768622.9 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104600104A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 陶园林 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/74 | 分类号： | H01L29/74 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 刘锋;朱梅 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保持 电压 可控硅 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种高保持电压可控硅结构，包括P型衬底(101)，所述P型衬底(101)内设有N型埋层(102)，所述N型埋层(102)上注有高压N阱(103)，所述高压N阱(103)内依次并排注有第一N+区(104)、第一P+区(105)和低压P阱(109)，所述低压P阱(109)内依次并排注有第二N+区(107)和第二P+区(108)，其中，
在所述第一P+区(105)与所述第二N+区(107)之间注有第三N+区(106)，所述第三N+区(106)的一部分位于所述高压N阱(103)内，另一部分位于所述低压P阱(109)内，且所述第三N+区(106)与所述第二N+区(107)之间间隔有第二氧化隔离层(110b)；
所述P型衬底(101)在所述可控硅结构的边缘延伸到所述可控硅结构的表面，且在所述可控硅结构的表面位于所述P型衬底(101)的区域覆盖有第一氧化隔离层(110a、110a’)。
2.根据权利要求1所述的高保持电压可控硅结构，其特征在于，所述第一N+区(104)与所述第一P+区(105)共同引出第一器件端口连接到电源，所述第二N+区(107)与所述第二P+区(108)共同引出第二器件端口接地。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海贝岭股份有限公司;，未经上海贝岭股份有限公司;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410768622.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
