[发明专利]包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件有效
| 申请号： | 201410768392.6 | 申请日： | 2014-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN104752508B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 朴相真;尹普彦;全夏英;赵炳权;韩政男 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 弋桂芬 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了包括具有多倾角的沟槽壁的半导体器件。半导体器件包括限定沟槽的栅极间隔物，栅极间隔物包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分。第一部分的内表面具有相对于基板的锐角倾角，第二部分的内表面具有相对于基板的直角倾角或钝角倾角。栅极电极填充沟槽的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 具有 倾角 沟槽 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：栅极间隔物，限定沟槽并包括顺序地位于基板上的第一部分和第二部分，所述第一部分的内表面具有相对于所述基板的锐角倾角，所述第二部分的内表面具有相对于所述基板的直角倾角或钝角倾角；和栅极电极，在所述沟槽的至少一部分中。
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