[发明专利]一种包括多个阶的3D阵列的存储器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种包括多个阶的3D阵列的存储器及其制作方法。各阶包括一位线接垫、一源极线接垫及多条半导体材料的条块，条块延伸于位线接垫与源极线接垫之间。源极线接垫包括至少一n型区及至少一p型区。存储器包括多条耦接于此些阶的此些条块的此些条字线。存储器包括多个位于此些字线与此些半导体材料的条块之间的数据储存元件，藉以使多个存储单元设于此些条块与此些字线的多个交叉点。存储器包括耦接源极线接垫的n型区及p型区的电路，用以选择性地致使电流流动于此些条块，其中条块延伸白源极线接垫的n型区与p型区其中之一。

主权项

一种存储器，包括：一半导体材料的条，延伸于一位线接垫与一源极线接垫之间，该源极线接垫包括至少一n型区及至少一p型区；一栅极，耦接于该条；一数据储存元件，于该栅极与该条之间，藉以使一存储单元设于该条与该栅极的一交叉点；一电路，耦接于该源极线接垫的该n型区及该p型区，且选择性地透过致使电流透过该n型区及该p型区流动于该条。