[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开一种薄膜晶体管及其制备方法，薄膜晶体管包括：基板；多晶硅半导体层，包括沟道区、源极和漏极及至少一个轻掺杂漏区；栅绝缘层，包括下层的氧化硅层，及上层的氮化硅层或氮氧化硅层，下层的氧化硅层覆盖沟道区、源极、漏极及轻掺杂漏区，上层的氮化硅层或氮氧化硅层沉积于下层的氧化硅层上且仅覆盖轻掺杂漏区和沟道区；及栅极层，设置在上层的氮化硅层或氮氧化硅层之上且仅覆盖沟道区。多晶硅半导体层上设置双层栅绝缘层，通过一次光刻工艺，使源漏极、沟道区及轻掺杂漏区上的膜层结构不同，然后仅通过一次离子注入即可完成LDD轻掺杂和源漏区重掺杂，简化工艺步骤，节约成本，LDD掺杂和源漏区掺杂均为自对准掺杂，晶体管的电学特性较佳。

主权项

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在基板上形成多晶硅半导体层，所述多晶硅半导体层包括沟道区，及排列在沟道区两侧的源极和漏极；在所述多晶硅半导体层之上依次沉积栅绝缘层和栅极层，其中所述栅绝缘层包括下层的氧化硅层，及上层的氮化硅层或氮氧化硅层；在所述栅极层之上涂覆光刻胶，然后曝光、显影，其中所述光刻胶与沟道区相对应的区域不曝光，与源极与沟道区之间的区域相对应的区域为部分曝光，与漏极与沟道区之间的区域相对应的区域为部分曝光，与源极和漏极相对应的区域均为完全曝光；将栅极层无光刻胶覆盖的区域蚀刻去除，然后将栅绝缘层的上层无栅极层覆盖的区域蚀刻去除；将部分曝光的光刻胶去除；蚀刻掉栅极层裸露在外的区域，并去除栅极层之上的光刻胶；利用含有掺杂元素的离子束对所述多晶硅半导体层进行离子注入，得到重掺杂的源漏极、轻掺杂的轻掺杂漏区及无掺杂的沟道区；其中，所述栅绝缘层的所述上层的氮化硅层或氮氧化硅层覆盖所述轻掺杂漏区及沟道区，所述栅极层覆盖所述沟道区。