[发明专利]一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201410755066.1 | 申请日： | 2014-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN104388725A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 蒋达伟;蒋洁;张潇潇;毛宗宁 | 申请（专利权）人： | 成都明日星辰科技有限公司 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C32/00;C22C21/00;C22C29/06;C22F1/04;C22F1/00 |
| 代理公司： | 成都华典专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子封装材料领域，特别是涉及一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：a.混合：将SiC粉与Al粉混合；b.制坯：将上述粉末压制成圆柱形坯体；c.烧结：将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压；d.半固态触变：将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理，即得。本发明提供了一种利用半固态压铸触变时固液分离的特点，开发了一种新型短流程、易操控、低成本的SiC／Al复合材料制备工艺，SiC颗粒的体积分数可达72vol.%。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 电子 封装 sic al 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种性能高的电子封装用SiC／Al复合材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：a.混合：将SiC粉与Al粉混合；b.制坯：将上述粉末压制成圆柱形坯体；c.烧结：将圆柱形坯体在高温下进行烧结、热压；d.半固态触变：将上述烧结处理后的坯体经过半固态触变处理，即得。
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