[发明专利]光伏器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201410748243.3 | 申请日： | 2014-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105742374B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 何洋;宋焱;董建荣;孙玉润;赵勇明;于淑珍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光伏器件，该光伏器件包括衬底及生长于衬底上的光伏电池，还包括设置于衬底和光伏电池之间的Al2O3材料层。本发明还公开了该光伏器件的制备方法，包括步骤A、在衬底上生长一Al(Ga)As材料层；B、在Al(Ga)As材料层上生长光伏电池；C、通过湿氧氧化法将Al(Ga)As材料层横向氧化成Al2O3材料层，形成湿氧氧化层。该光伏器件不仅可有效地防止半绝缘衬底在光照下导致的漏电问题，还可增大光伏电池的并联电阻，增加转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种光伏器件的制备方法，其特征在于，该方法包括步骤：A、在衬底上生长Al(Ga)As材料层；B、在所述Al(Ga)As材料层上生长光伏电池；C、通过湿氧氧化法将所述Al(Ga)As材料层横向氧化成Al2O3材料层，形成湿氧氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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