[发明专利]有机场致发光装置及其制造方法有效
申请号: | 201410742603.9 | 申请日: | 2014-12-08 |
公开(公告)号: | CN104701347B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 井出慎司;石黑茂之;成富繁夫;早川信子 | 申请(专利权)人: | 双叶电子工业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 聂宁乐 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种可靠性高的有机场致发光装置。有机EL装置(1)具有基板(2)、至少一个有机EL元件(3)、绝缘膜(4)、结构体(5)、被覆部(6)以及钝化膜(7)。有机EL元件(3),在基板(2)上具有阳极(31)、含有有机发光层的有机层(32)以及阴极(33)。结构体(5),设置在基板(2)上,厚度比有机EL元件(3)的膜厚大。被覆部(6)在结构体(5)的台阶底部(51)上形成。钝化膜(7)被覆在有机场致发光元件(3)、结构体(5)以及被覆部(6)上。 | ||
搜索关键词: | 机场 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机场致发光装置,其特征在于,具有:基板,在所述基板上至少有一个含有阳极、有机层和阴极的有机场致发光元件,所述有机层含有有机发光层,设置在所述基板上,厚度比所述有机场致发光元件的膜厚大,具有分离邻接电极的悬挂结构的一条的结构体,所述结构体的剖面为上底比下底大的近似梯形结构,设置在所述结构体的台阶底部,在该台阶底部上的剖面形状的曲率半径至少为0.3μm的被覆部,以及被覆所述有机场致发光元件、所述结构体,以及所述被覆部的钝化膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于双叶电子工业株式会社,未经双叶电子工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410742603.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:射频LDMOS器件及工艺方法
- 下一篇:一种双晶片覆晶结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的