[发明专利]一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201410738690.0 申请日: 2014-12-05
公开(公告)号: CN104409556A 公开(公告)日: 2015-03-11
发明(设计)人: 王新强;荣新;沈波;陈广;郑显通;王平;许福军;张国义 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L31/111 分类号: H01L31/111;H01L31/18
代理公司: 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 代理人: 王岩
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器及其制备方法。本发明的量子阱红外探测器的多量子阱为包含多个周期的复合势垒和势阱,其中,复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构;通过极化调制的方法形成平带势垒,平带势垒以上的能级相互耦合形成准连续态,进而形成光电流的通路;通过增加平带势垒的厚度,可以在光电流信号强度基本不变的情况下,抑制暗电流的背景噪声,进而提高信噪比。本发明利用低温精细外延设备控制有源区界面以及各层厚度,可以获得高质量的外延晶片;多量子阱采用III族氮化物材料,可以实现全红外光谱窗口的光子探测;本发明的探测器在液氦温区成功探测到光电流信号,具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 氮化物 复合 量子 红外探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种氮化物复合势垒量子阱红外探测器,其特征在于,所述量子阱红外探测器包括:衬底、缓冲层、底电极接触层、多量子阱、顶电极接触层、底电极、顶电极和钝化层;其中,在衬底上生长缓冲层;在缓冲层上生长底电极接触层;在底电极接触层的一部分上依次为多量子阱、顶电极接触层和顶电极;在底电极接触层的一部分上为底电极;在多量子阱、顶电极接触层和顶电极的侧面覆盖有钝化层,以及在底电极的侧面覆盖有钝化层;多量子阱包含多个周期的复合势垒和势阱,其中,复合势垒为包括平带势垒和尖峰势垒的双层结构。
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