[发明专利]布图设计系统以及使用该系统制造的半导体器件有效
| 申请号: | 201410737765.3 | 申请日: | 2014-12-05 |
| 公开(公告)号: | CN104699884B | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
| 发明(设计)人: | 金珍泰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50;H01L27/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | 本公开提供了布图设计系统以及使用该系统制造的半导体器件。一种布图设计系统包括:存储单元,存储第一标准单元设计和第二标准单元设计;偏移模块,布置第一标准单元设计和第二标准单元设计以根据芯片设计要求产生中间设计,其中用于第一标准单元设计的第一区域和用于第二标准单元设计的第二区域在中间设计中通过填充设计而分离,该填充设计没有有源区。 | ||
| 搜索关键词: | 设计 系统 以及 使用 制造 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种布图设计系统,接收芯片设计要求并提供相应的芯片设计到能够存储所述芯片设计的电路,所述布图设计系统包括:处理器;存储单元,存储限定第一有源区的第一标准单元设计和限定第二有源区的第二标准单元设计,所述第一有源区具有第一宽度,所述第二有源区具有不同于所述第一宽度的第二宽度;和偏移模块,与所述处理器协同操作并配置为在第一区域中布置所述第一标准单元设计和在第二区域中布置所述第二标准单元设计以根据所述芯片设计要求产生中间设计,其中所述第一区域和所述第二区域在所述中间设计中通过填充设计而分离,该填充设计不具有有源区,所述偏移模块进一步配置为在所述存储单元中存储所述中间设计;在所述填充设计和所述第一区域之间的第一边界处产生与所述第一宽度对应的第一标记并在所述填充设计和所述第二区域之间的第二边界处产生与所述第二宽度对应的第二标记,使得所述第一标记和所述第二标记被限定在所述中间设计中;以及在所述存储单元中存储所述中间设计。
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