[发明专利]布图设计系统以及使用该系统制造的半导体器件

说明书

本公开提供了布图设计系统以及使用该系统制造的半导体器件。一种布图设计系统包括：存储单元，存储第一标准单元设计和第二标准单元设计；偏移模块，布置第一标准单元设计和第二标准单元设计以根据芯片设计要求产生中间设计，其中用于第一标准单元设计的第一区域和用于第二标准单元设计的第二区域在中间设计中通过填充设计而分离，该填充设计没有有源区。

技术领域

本发明构思总地涉及布图设计系统(layout design system)以及使用该布图设计系统制造的半导体器件。

背景技术

几十年来，半导体器件的持续发展是以器件的尺寸不断减小以及构成部件的尺寸和间隔减小为特征的过程。半导体器件的设计和制造是极其复杂的过程，多年来已经发展了许多工具来帮助设计/制造的工程人员和技术人员。

与半导体器件的设计和制造相关的许多关键任务之一是准备一个或多个布图设计。随着现代半导体器件的尺寸继续减小以及随着构成部件的密度继续增加，布图设计的质量变得越来越重要。

发明内容

本发明构思的某些实施方式提供能够产生确保半导体器件的较大的可靠性的布图设计的布图设计系统。本发明构思的其他实施方式提供使用产生改善的布图设计的布图设计系统设计和制造的各种半导体器件。

本发明构思的附加的优点和特征将在以下结合附图的文字描述中被阐述。

在一个方面，本发明构思提供一种布图设计系统，其接收芯片设计要求并提供相应的芯片设计到能够存储该芯片设计的电路。该布图设计系统包括：处理器；存储单元，存储限定第一有源区的第一标准单元设计和限定第二有源区的第二标准单元设计，该第一有源区具有第一宽度，该第二有源区具有不同于第一宽度的第二宽度；以及偏移模块(displacement module)，与处理器协同操作并配置为在第一区域中布置第一标准单元设计和在第二区域中布置第二标准单元设计以根据芯片设计要求产生中间设计(intermediate design)，其中第一区域和第二区域在中间设计中通过填充设计(fillerdesign)分离，该填充设计不具有有源区，偏移模块还配置为在存储单元中存储中间设计。

在另一个方面，本发明构思提供一种布图设计系统，其接收芯片设计要求并提供相应的芯片设计到能够存储该芯片设计的电路。该布图设计系统包括：处理器；存储单元，存储限定第一有源区的第一标准单元设计和限定第二有源区的第二标准单元设计，该第一有源区具有第一宽度，该第二有源区具有不同于第一宽度的第二宽度；以及偏移模块，与处理器协同操作并配置为在第一区域中布置第一标准单元设计和在第二区域中布置第二标准单元设计以根据芯片设计要求产生中间设计，其中第一区域和第二区域在中间设计中通过不具有有源区的填充设计分离。

在另一个方面，本发明构思提供一种半导体器件，该半导体器件包括：第一区域，包括通过第一深沟槽隔离(DTI)分离并在第一方向上延伸的第一有源基底；第一正常栅极，形成在第一有源基底上并在交叉第一方向的第二方向上延伸；第二区域，包括通过第二DTI分离并在第一方向上延伸的第二有源基底；第二正常栅极，形成在第二有源基底上并在第二方向上延伸；第三区域，包括第三有源基底，第三有源基底布置在第一区域和第二区域之间、通过第一DTI和第二DTI分离并在第一方向上延伸；以及虚设栅极，形成在第三有源基底上并在第二方向上延伸，其中第三有源基底在第一方向上的宽度在第三区域中彼此不同。

附图说明

通过结合附图考虑以下详细说明，本发明构思的以上和其他的目的、特征和优点对于本领域技术人员将变得明显，在附图中：

图1是根据本发明构思的实施方式的布图设计系统的方框图；

图2是进一步示出图1的中间设计14的使用的布局图；

图3是示出图2的区域A的一些补充细节的布局图；

图4和图5是进一步示出使用图1的偏移模块20的相应的布局图；