[发明专利]一种基于热敏电阻的超辐射发光二极管在审

专利信息
申请号: 201410729891.4 申请日: 2014-12-04
公开(公告)号: CN104466662A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 刘占元;陈硕;王爱民;古丽娟 申请(专利权)人: 国家电网公司;国网智能电网研究院;北京大学
主分类号: H01S5/024 分类号: H01S5/024
代理公司: 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 代理人: 徐国文
地址: 100031 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种基于热敏电阻的超辐射发光二极管,由半导体制冷器3和位于所述半导体制冷器3上端面的热沉基底6构成,所述热沉基底6的上端面设置有探测器1、超辐射发光管芯2、热敏电阻4和透镜光纤5,所述探测器1、超辐射发光管芯2和透镜光纤5位于同一轴线上,所述热敏电阻4为两个并且对称分布在所述超辐射发光管芯2的两侧,能够更精准的反应激光管芯位置温度变化,并能够通过控温实现对管芯更精确的温度控制,提高光源波长的温度稳定性以提高传感系统的测量精度。
搜索关键词: 一种 基于 热敏电阻 辐射 发光二极管
【主权项】:
一种基于热敏电阻的超辐射发光二极管,所述发光二极管管壳内部由半导体制冷器(3)和位于所述半导体制冷器(3)上端面的热沉基底(6)构成,所述热沉基底(6)的上端面设置有探测器(1)、超辐射发光管芯(2)、热敏电阻(4)和透镜光纤(5),所述探测器(1)、超辐射发光管芯(2)和透镜光纤(5)位于同一轴线上,其特征在于,所述热敏电阻(4)为两个并且对称分布在所述超辐射发光管芯(2)的两侧。
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