[发明专利]一种基于热敏电阻的超辐射发光二极管

权利要求书

1.一种基于热敏电阻的超辐射发光二极管，所述发光二极管管壳内部由半导体制冷器(3)和位于所述半导体制冷器(3)上端面的热沉基底(6)构成，所述热沉基底(6)的上端面设置有探测器(1)、超辐射发光管芯(2)、热敏电阻(4)和透镜光纤(5)，所述探测器(1)、超辐射发光管芯(2)和透镜光纤(5)位于同一轴线上，其特征在于，所述热敏电阻(4)为两个并且对称分布在所述超辐射发光管芯(2)的两侧。

2.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述热敏电阻(4)为片状热敏电阻。

3.根据权利要求2所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述热敏电阻包括：

热敏电阻素体(4-3)，具有在第一方向上彼此相对的第一主面(4-3a)和第二主面(4-3b)；

第一电极(4-5)和第二电极(4-7)，分布在所述热敏电阻素体(4-3)的所述第一主面(4-3a)，在与所述第一方向正交的第二方向上彼此分离而配置；

第三电极(4-9)，分布在所述热敏电阻素(4-3)体的所述第二主面(4-3b)，以从所述第一方向看与所述第一电极(4-5)和所述第二电极(4-7)重叠的方式配置。

4.根据权利要求3所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述第二方向上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-9)的沿面距离设定为比所述第二方向上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)的空间距离大。

5.根据权利要求4所述的超辐射发光二极管，其特征在于，在所述第一主面(4-3a)上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)之间的区域，形成有凹凸。

6.根据权利要求5所述的超辐射发光二极管，其特征在于，在所述第一主面(4-3a)上的所述第一电极(4-5)与所述第二电极(4-7)之间的区域，形成有沿着与所述第二方向交叉的方向延伸的槽(4-11)。

7.根据权利要求3～6中的任一项所述的超辐射发光二极管，其特征在于，从所述第一方向看，所述第一主面(4-3a)位于所述第二主面的(4-3b)外轮廓的内侧，所述第一电极(4-5)和第二电极(4-7)位于所述第三电极(4-9)的外轮廓的内侧。

8.根据权利要求1所述的超辐射发光二极管，其特征在于，所述热沉基底(6)由钨铜材料制成。