[发明专利]MEMS双层悬浮微结构的制作方法和MEMS红外探测器有效
| 申请号： | 201410723696.0 | 申请日： | 2014-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN105712284B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，可以制作出具有双层的悬浮微结构，用该双层悬浮微结构(具备第一介质层和第二介质层的悬浮微结构)制作的红外探测器，由于第二介质层不需要制作悬臂梁，所以第二介质层可以制作得比第一介质层大，因而可以比单层悬浮微结构的红外探测器拥有更大的悬浮吸收区域，从而具备较高的红外响应率。此外，还公开一种MEMS红外探测器。 | ||
| 搜索关键词： | mems 双层 悬浮 微结构 制作方法 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种MEMS双层悬浮微结构的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供基片；在基片上形成第一牺牲层；将第一牺牲层图形化；在第一牺牲层上淀积第一介质层；将第一介质层图形化以制作位于所述第一牺牲层上的第一膜体，及连接基片和第一膜体的悬臂梁；在第一介质层上形成第二牺牲层；将位于第一膜体上的第二牺牲层图形化以制作出用于形成支撑结构的凹部，所述凹部的底部暴露出第一膜体；在第二牺牲层上淀积第二介质层；将第二介质层图形化以制作出第二膜体和所述支撑结构，所述支撑结构连接第一膜体和第二膜体；去除第一牺牲层和第二牺牲层，得到MEMS双层悬浮微结构。
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