[发明专利]ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法在审
| 申请号： | 201410722553.8 | 申请日： | 2014-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN105719928A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 尹志尧;吴狄 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 张妍;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法，在ICP刻蚀器件中设置补偿装置，其包含至少一个补偿器以及连接该补偿器的驱动装置，所述的补偿器设置在感应线圈上方，补偿器产生的感应磁场抵消感应线圈产生的电磁场，根据检测到的等离子分布数据，通过驱动装置来驱动补偿器在感应线圈上方移动来调节电磁场的密度，从而调节刻蚀速率，使ICP刻蚀器件得到均匀的刻蚀速率。本发明对刻蚀速率非均匀性进行补偿，获得均匀的刻蚀速率。 | ||
| 搜索关键词： | icp 刻蚀 速率 均匀 进行 补偿 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，该补偿装置设置在ICP刻蚀器件中，所述的ICP刻蚀器件（1）包含：感应线圈（2），感应线圈（2）的两端通过引线（201）连接射频源（3）；真空腔（101），真空腔（101）内的反应气体在感应线圈（2）产生的电磁场的作用下产生等离子体（102），对半导体基片（5）进行刻蚀；陶瓷射频窗（103），其将感应线圈（2）和真空腔（101）隔离开来；其特征在于，所述的补偿装置包含至少一个补偿器（6）以及连接该补偿器（6）的驱动装置，所述的补偿器（6）设置在感应线圈（2）上方，补偿器（6）产生的感应磁场抵消感应线圈（2）产生的电磁场；根据检测到的等离子分布数据，通过驱动装置来驱动补偿器（6）在感应线圈（2）上方移动来调节电磁场的密度，从而调节刻蚀速率，使ICP刻蚀器件得到均匀的刻蚀速率； 所述的补偿器（6）处于电势浮地状态，所述的补偿器（6）可采用导体制成的天线，或者采用导体板。
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