[发明专利]ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置和方法

权利要求书

1.一种ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，该补偿装置设置在ICP刻蚀器件中，所述的ICP刻蚀器件（1）包含：

感应线圈（2），感应线圈（2）的两端通过引线（201）连接射频源（3）；

真空腔（101），真空腔（101）内的反应气体在感应线圈（2）产生的电磁场的作用下产生等离子体（102），对半导体基片（5）进行刻蚀；

陶瓷射频窗（103），其将感应线圈（2）和真空腔（101）隔离开来；

其特征在于，所述的补偿装置包含至少一个补偿器（6）以及连接该补偿器（6）的驱动装置，所述的补偿器（6）设置在感应线圈（2）上方，补偿器（6）产生的感应磁场抵消感应线圈（2）产生的电磁场；

根据检测到的等离子分布数据，通过驱动装置来驱动补偿器（6）在感应线圈（2）上方移动来调节电磁场的密度，从而调节刻蚀速率，使ICP刻蚀器件得到均匀的刻蚀速率；

所述的补偿器（6）处于电势浮地状态，所述的补偿器（6）可采用导体制成的天线，或者采用导体板。

2.如权利要求1所述的ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，其特征在于，所述的补偿器（6）为任意形状。

3.如权利要求2所述的ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，其特征在于，所述的补偿器（6）的设置位置呈不对称分布状态。

4.如权利要求1-3中任意一个所述的ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，其特征在于，所述的驱动装置是可固定补偿器（6），并将该补偿器（6）设置在预定位置处的器件，通过改变补偿器（6）与感应线圈（2）的距离来调节对真空腔（101）内磁场能量分布的影响程度。

5.如权利要求4所述的ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，其特征在于，所述的驱动装置采用位于补偿器（6）上方的机械固定装置，使补偿器（6）固定在指定位置，或者，所述的驱动装置直接采用ICP刻蚀器件的顶部组件。

6.如权利要求5所述的ICP刻蚀中对刻蚀速率非均匀性进行补偿的装置，其特征在于，所述的ICP刻蚀器件（1）还包含冷却系统（4），其设置在感应线圈（2）上部并位于陶瓷射频窗（103）上部中央位置，对感应线圈（2）进行冷却。

7.一种利用如权利要求6所述的补偿装置对ICP刻蚀器件中的刻蚀速率非均匀性进行补偿的方法，其特征在于，该补偿方法将补偿装置中的补偿器（6）设置在感应线圈（2）上方，补偿器（6）产生的感应磁场抵消感应线圈（2）产生的电磁场，补偿器（6）连接驱动装置，根据检测到的等离子分布数据，通过驱动装置来驱动补偿器（6）在感应线圈（2）上方移动来调节电磁场的密度，从而调节刻蚀速率，使ICP刻蚀器件得到均匀的刻蚀速率。

8.一种ICP刻蚀器件，其特征在于，所述的ICP刻蚀器件（1）包含：

感应线圈（2），感应线圈（2）的两端通过引线（201）连接射频源（3）；

真空腔（101），真空腔（101）内的反应气体在感应线圈（2）产生的电磁场的作用下产生等离子体（102），对半导体基片（5）进行刻蚀；

陶瓷射频窗（103），其将感应线圈（2）和真空腔（101）隔离开来；

补偿装置，其包含至少一个补偿器（6）以及连接该补偿器（6）的驱动装置，所述的补偿器（6）设置在感应线圈（2）上方，补偿器（6）产生的感应磁场抵消感应线圈（2）产生的电磁场；

根据检测到的等离子分布数据，通过驱动装置来驱动补偿器（6）在感应线圈（2）上方移动来调节电磁场的密度，从而调节刻蚀速率，使ICP刻蚀器件得到均匀的刻蚀速率；

所述的补偿器（6）处于电势浮地状态，所述的补偿器（6）可采用导体制成的天线，或者采用导体板。

9.如权利要求8所述的ICP刻蚀器件，其特征在于，所述的补偿器（6）为任意形状。

10.如权利要求9所述的ICP刻蚀器件，其特征在于，所述的补偿器（6）的设置位置呈不对称分布状态。

11.如权利要求8-10中任意一个所述的ICP刻蚀器件，其特征在于，所述的驱动装置是可固定补偿器（6），并将该补偿器（6）设置在预定位置处的器件，通过改变补偿器（6）与感应线圈（2）的距离来调节对真空腔（101）内磁场能量分布的影响程度。