[发明专利]一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法

摘要

本发明属于光刻技术领域，具体为一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法。本发明利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应进行超分辨纳米光刻，其步骤包括：在硅片表面旋涂一层光刻胶，利用电子束光刻，经过显影之后形成半圆槽阵列，随后用浇注材料浇注形成光刻掩膜版；再在另一块硅片表面旋涂另一种光刻胶，将浇注形成的半圆槽阵列光刻掩膜版盖在光刻胶表面，通过光学光刻，显影之后形成光刻胶上的纳米级线条。本发明方法可实现超衍射极限的光学光刻能力；可进行跨尺度多尺度的复杂纳米图形制作；得到的纳米图形结构形貌可控；可实现高效、大面积制造；与现有半导体基础工艺直接相兼容。

主权项

一种利用光子纳米喷射造成聚焦效应的超分辨纳米光刻方法，其特征在于利用光子在介质微球里发生的纳米喷射过程所造成的聚焦效应，来进行超分辨纳米光刻,具体步骤如下：（1）清洗硅衬底，在衬底上旋涂UVN‑30光刻胶胶，并烘烤使之硬化；（2）然后使用电子束光刻机光刻；（3）再烘烤，显影；随后立即在清水中冲洗，获得UVN‑30上的半圆槽阵列结构；（4）使用PDMS塑料浇注材料浇注在半圆槽阵列结构上，得到浇注膜；（5）在热板上烘干硬化，取下浇注膜，得到纳米光刻模板；（6）在另一块硅片上旋涂另一种光刻胶，然后将步骤（5）得到的纳米光刻模板放在所述硅片上方；（7）最后曝光，显影，获得纳米线条。