[发明专利]MEMS器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410714490.1 | 申请日： | 2014-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105692544B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张先明;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MEMS器件的形成方法，首先在硅基底表层的部分区域进行离子注入形成改性区，之后在具有改性区的硅基底上形成器件层，在器件层内形成暴露改性区的沟槽，通过该沟槽湿法腐蚀去除该改性区以及部分硅基底以形成空腔，由于改性区的性质与硅基底的性质不同，因而可以通过选择腐蚀溶液，在腐蚀硅基底形成空腔时，能对悬浮于空腔上部的器件层下的改性区材质进行完全去除，由于改性区的完全去除，使得悬浮的可动部件下无硅材质残留，进而提高可动部件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供硅基底，在所述硅基底表层的部分区域进行离子注入形成改性区；在所述具有改性区的硅基底上形成器件层；干法刻蚀所述器件层以在其内形成沟槽，所述沟槽暴露出所述改性区；通过所述沟槽湿法去除所述改性区以及部分硅基底以形成空腔，悬浮在所述空腔上部的器件层形成可动部件。
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