[发明专利]量子点场效应晶体管及制作方法、阵列基板和检测装置在审
| 申请号： | 201410707496.6 | 申请日： | 2014-11-27 |
| 公开（公告）号： | CN104409506A | 公开（公告）日： | 2015-03-11 |
| 发明（设计）人： | 徐晓娜;周婷婷;刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/47;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种量子点场效应晶体管及制作方法、阵列基板和检测装置，涉及半导体技术领域，解决了现有技术中形成源区和漏区需要多次刻蚀的问题，减少了制作工艺，降低了生产成本。该量子点场效应晶体管包括：形成在衬底上的上势垒层，还包括：肖特基接触层，其中：所述肖特基接触层设置在所述上势垒层上，与所述上势垒层的中间区域对应的位置处；所述肖特基接触层的材料为金属材料；所述上势垒层上与所述肖特基接触层对应的区域的一侧为源区，另一侧为漏区。本发明应用与半导体器件制作技术中。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 场效应 晶体管 制作方法 阵列 检测 装置 | ||
【主权项】：
一种量子点场效应晶体管，所述量子点场效应晶体管包括：形成在衬底上的上势垒层，其特征在于，所述量子点场效应晶体管还包括：肖特基接触层，其中：所述肖特基接触层设置在所述上势垒层上，与所述上势垒层的中间区域对应的位置处；所述肖特基接触层的材料为金属材料；所述上势垒层上与所述肖特基接触层对应的区域的一侧为源区，另一侧为漏区。
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