[发明专利]一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器有效
| 申请号： | 201410704912.7 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104458076A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 田边;韩佰锋;李华峰;王鹏;赵玉龙;蒋庄德 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;西安上尚机电有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/20 | 分类号： | G01L1/20;G01L9/02 |
| 代理公司： | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人： | 贺建斌 |
| 地址： | 710049*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器，包括硅质基底，硅质基底的背面中部设有空腔，硅质基底的背面与硼玻璃键合，硼玻璃的中部具有凸台结构，硅质基底的背面空腔与硼玻璃的凸台结构相配合，在硅质基底的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁和第二梁，在硅质基底的背面腐蚀形成平膜，第一梁和第二梁与硅质基底四周的梁共同形成梁膜结构，第一梁和第二梁的两端沿着【100】晶向在应力最大处布置有压敏电阻，四个压敏电阻通过金属引线和焊盘相互连接组成惠斯通电桥，采用了硼玻璃的凸台结构，限位设计更加合理，在满足了高灵敏度与高线性度要求的同时，兼具高过载和高侧向效应抵抗能力的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 过载 加速度 干扰 压力传感器 | ||
【主权项】：
一种具有高过载低加速度干扰的微压力传感器，包括硅质基底(1)，其特征在于：硅质基底(1)的背面中部设有空腔，硅质基底(1)的背面与硼玻璃(2)键合，且留有键合余量，硼玻璃(2)的中部设有凸台结构(8)，凸台结构(8)下底面中心位置与硼玻璃(2)上底面中心位置重合，硅质基底(1)的背面空腔与硼玻璃(2)的凸台结构(8)相配合，并预留有工作间隙，在硅质基底(1)的正面腐蚀形成相互垂直的第一梁(6)和第二梁(7)，在硅质基底(1)的背面腐蚀形成平膜(9)，第一梁(6)和第二梁(7)与硅质基底(1)四周的梁共同形成梁膜结构。
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