[发明专利]一种监测器件的低工作电压失效的测试方法在审
| 申请号： | 201410692974.0 | 申请日： | 2014-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN104485296A | 公开（公告）日： | 2015-04-01 |
| 发明（设计）人： | 蔡恩静;魏文;李强 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，涉及半导体领域。该方法为：建立多个测试结构，所有的所述测试结构的结构均相同；在每个所述测试结构上均放置有宽度不同的遮盖板；对所有的所述测试结构进行离子掺杂，被遮盖板覆盖的区域不能进行离子掺杂，能进行离子掺杂的区域为所述测试结构的工作区间；同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压，根据测试结果获取所述测试结构所对应的工作区间是否存在是失效，从而获取器件的低工作电压是否失效。该方法能够快速确认低工作电压是否存在失效现象；批量快速找出制程在该类问题的工作区间，缩短了制程开发周期，有效节约了开发成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 监测 器件 工作 电压 失效 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，其特征在于，包括下述步骤：步骤1.建立多个测试结构，所有的所述测试结构的结构均相同；步骤2.在每个所述测试结构上均放置有宽度不同的遮盖板；步骤3.对所有的所述测试结构进行离子掺杂，被遮盖板覆盖的区域不能进行离子掺杂，能进行离子掺杂的区域为所述测试结构的工作区间；步骤4.同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压，根据测试结果获取所述测试结构所对应的工作区间是否存在失效，从而获取器件的低工作电压是否失效。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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