[发明专利]一种监测器件的低工作电压失效的测试方法

权利要求书

1.一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，其特征在于，

包括下述步骤：

步骤1.建立多个测试结构，所有的所述测试结构的结构均相同；

步骤2.在每个所述测试结构上均放置有宽度不同的遮盖板；

步骤3.对所有的所述测试结构进行离子掺杂，被遮盖板覆盖的区域不能进行离子掺杂，能进行离子掺杂的区域为所述测试结构的工作区间；

步骤4.同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压，根据测试结果获取所述测试结构所对应的工作区间是否存在失效，从而获取器件的低工作电压是否失效。

2.如权利要去1所述一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，其特征在于，步骤4中同时测试所有所述测试结构的饱和电流和工作电压，其中，测试每个所述测试结构的饱和电流和工作电压每的具体过程为：

将所述测试结构的晶体管连接到Pad点上，所述晶体管包括第一上拉晶体管、第二上拉晶体管、第一下拉晶体管和第二下拉晶体管，获取每个晶体管的饱和电流和工作电压。

3.如权利要去2所述一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，其特征在于，步骤4中获取所述测试结果的具体过程为：

步骤41.逐一将所述饱和电流与标准的饱和电流Idsat进行比较，判断饱和电流是否在所述标准饱和电流Idsat±10％的范围内，若是，则所述晶体管能正常工作；若否，则所述晶体管不能正常工作；

步骤42.逐一将所述工作电压与额定电压Vt进行比较，判断工作电压是否在所述额定电压Vt±10％的范围内，若是，则所述晶体管能正常工作，若否，则所述晶体管不能正常工作；

步骤43.判断每个所述测试结构中的四个所述晶体管是否均处于正常工作状态，若是，则所述测试结构对应的工作区间能正常工作，器件处于的低工作电压状态能够正常工作；若否，则所述测试结构对应的工作区间不能正常工作，器件处于的低工作电压状态无法正常工作，处于失效状态。

4.如权利要去3所述一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，其特征在于，步骤41中逐一将所述饱和电流与标准的饱和电流Idsat进行比较的具体过程为：

将所述第一上拉晶体管的饱和电流与所述第一上拉晶体管对应的标准的饱和电流I1dsat进行比较；

将所述第二上拉晶体管的饱和电流与所述第二上拉晶体管对应的标准的饱和电流I2dsat进行比较；

将所述第一下拉晶体管的饱和电流与所述第一下拉晶体管对应的标准的饱和电流I3dsat进行比较；

将所述第二下拉晶体管的饱和电流与所述第二下拉晶体管对应的标准的饱和电流I4dsat进行比较。

5.如权利要去3所述一种监测器件的低工作电压失效的测试方法，其特征在于，步骤42中逐一将所述工作电压与额定电压Vt进行比较的具体过程为：

将所述第一上拉晶体管的工作电压与所述第一上拉晶体管对应的额定电压Vt1进行比较；

将所述第二上拉晶体管的工作电压与所述第二上拉晶体管对应的额定电压Vt2进行比较；

将所述第一下拉晶体管的工作电压与所述第一下拉晶体管对应的额定电压Vt3进行比较；

将所述第二下拉晶体管的工作电压与所述第二下拉晶体管对应的额定电压Vt4进行比较。