[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开一种铜铟镓硒薄膜及其制备方法，所述方法包括S1、在钼基底上镀一层厚度为10～1000nm的铜；S2、在电解液体系中，采用电化学沉积法在经步骤S1镀铜处理的钼基底上沉积形成贫铜的铜铟镓硒薄膜。采用该方法制备太阳电池用的光吸收层材料CIGS薄膜，不仅能避免采用PVD法或CVD法存在的工艺和设备复杂、成本高昂、难以大规模生产等不足，也能有效克服传统电化学沉积法必须使用剧毒的刻蚀剂的问题，实现铜铟镓硒薄膜大面积连续沉积、免刻蚀制备，有利于其大规模工业推广与应用，得到与传统电化学沉积KCN刻蚀富铜薄膜质量相当的免刻蚀贫铜CIGS薄膜。

主权项

一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、镀铜：在钼基底上镀一层厚度为10～1000nm的铜；S2、沉积：在电解液体系中，采用电化学沉积法在经步骤S1镀铜处理的钼基底上沉积贫铜的铜、铟、镓和硒；S3、退火：将经过步骤S2沉积贫铜的铜、铟、镓和硒后的钼基底置于含硒的真空、空气、氩气或氮气中，在250～550℃下热处理0.1～5.5小时，再冷却，形成含有CuxInaGabSec的铜铟镓硒薄膜，其中，x＜a+b，0＜a≤2，0＜b≤2，0＜c≤5。