[发明专利]屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201410686564.5 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105702548B | 公开（公告）日： | 2018-01-02 |
| 发明（设计）人： | 林哲全 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于从等离子体中选择性地阻止带电粒子通过的屏蔽装置，包括位于反应腔室内的第一屏蔽板，其中形成多个第一贯通孔，所述第一屏蔽板具有导电材料，所述导电材料上施加一直流偏压；导电组件，设置于反应腔室内所述第一屏蔽板与等离子体源之间的等离子体分布区域且具有暴露于等离子体的表面；测量组件，用于测量所述导电组件的表面所吸收的等离子体的电流；以及控制组件，根据所述测量组件的测量结果计算并控制所述直流偏压的偏压值及极性。本发明能够准确控制直流偏压从而阻止带电粒子到达基片表面对其造成损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 装置 具有 等离子体 处理 | ||
【主权项】：
一种屏蔽装置，应用于等离子体处理装置，用于从由该等离子体处理装置的等离子体源所产生的等离子体中选择性地阻止带电粒子通过，其特征在于，所述屏蔽装置包括：第一屏蔽板，设置于所述等离子体处理装置的反应腔室内基座的上方，其中形成多个第一贯通孔，所述第一屏蔽板具有导电材料，所述导电材料上施加一直流偏压；导电组件，设置于所述反应腔室内、所述第一屏蔽板与所述等离子体源之间的等离子体分布区域且具有暴露于等离子体的表面；测量组件，用于测量所述导电组件的表面所吸收的等离子体的电流；以及控制组件，根据所述测量组件测量到的等离子体电流的极性控制所述直流偏压的极性，以及根据所述测量组件测量到的等离子体电流的电流值计算并控制所述直流偏压的偏压值；其中当所述测量组件测量所述等离子体的电流为正离子电流时，所述控制组件控制所述直流偏压的极性为正；当所述测量组件测量所述等离子体的电流为负电子电流时，所述控制组件控制所述直流偏压的极性为负。
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