[发明专利]屏蔽装置及具有该屏蔽装置的等离子体处理装置

权利要求书

1.一种屏蔽装置，应用于等离子体处理装置，用于从由该等离子体处理装置的等离子体源所产生的等离子体中选择性地阻止带电粒子通过，其特征在于，所述屏蔽装置包括：

第一屏蔽板，设置于所述等离子体处理装置的反应腔室内基座的上方，其中形成多个第一贯通孔，所述第一屏蔽板具有导电材料，所述导电材料上施加一直流偏压；

导电组件，设置于所述反应腔室内、所述第一屏蔽板与所述等离子体源之间的等离子体分布区域且具有暴露于等离子体的表面；

测量组件，用于测量所述导电组件的表面所吸收的等离子体的电流；以及

控制组件，根据所述测量组件测量到的等离子体电流的极性控制所述直流偏压的极性，以及根据所述测量组件测量到的等离子体电流的电流值计算并控制所述直流偏压的偏压值；其中当所述测量组件测量所述等离子体的电流为正离子电流时，所述控制组件控制所述直流偏压的极性为正；当所述测量组件测量所述等离子体的电流为负电子电流时，所述控制组件控制所述直流偏压的极性为负。

2.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，还包括与所述第一屏蔽板平行设置的第二屏蔽板，所述第二屏蔽板中形成多个第二贯通孔，所述多个第二贯通孔与所述多个第一贯通孔不重叠或部分重叠。

3.根据权利要求2所述的屏蔽装置，其特征在于，所述第二屏蔽板具有导电材料且所述导电材料上施加所述直流偏压。

4.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述导电组件设置于所述等离子体分布区域的多个位置，所述控制组件根据所述测量组件获得的多个测量结果计算并控制所述直流偏压的偏压值及极性。

5.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述导电组件贴设于所述第一屏蔽板上。

6.根据权利要求1所述的屏蔽装置，其特征在于，所述第一屏蔽板为导电材料制成或在非导电材料表面涂覆导电涂层。

7.根据权利要求3所述的屏蔽装置，其特征在于，所述第一屏蔽板和第二屏蔽板为导电材料制成或在非导电材料表面涂覆导电涂层。

8.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

等离子体源；

反应腔室，其包括用于载置基片的基座；以及

如权利要求1～7任一项所述的屏蔽装置，所述屏蔽装置的屏蔽板位于所述反应腔室内所述基座的上方。