[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201410685729.7 | 申请日： | 2014-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105702575A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王桂磊;刘金彪;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/318 | 分类号： | H01L21/318;H01L21/3105;H01L21/3115 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体制造方法，用于制备张应力氮化硅，其包括：步骤c1，通入氨气和氮气并预稳定；步骤c2，通入硅烷；步骤c3，射频点火；步骤c4，沉积氮化硅；步骤c5，氮离子注入处理氮化硅。本发明采用氮离子注入轰击的方式来增强SiN薄膜中N的含量从而提高薄膜密度，提高了张应力氮化硅的抗酸性，使其能适用于集成在双应变衬层后栅工艺中，有效提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，用于制备具有张应力的氮化硅，其特征在于包括如下步骤：步骤c1，在沉积设备腔体内通入氨气和氮气，并预稳定，使所述腔体内部气体扩散均匀、压力稳定；步骤c2，向所述腔体内通入硅烷；步骤c3，射频点火；步骤c4，在上述步骤c1‑c3顺序执行的基础上，在晶片上沉积具有张应力的氮化硅，步骤c1‑c4的顺序执行即为一个沉积循环；步骤c5，采用氮离子注入工艺处理所述氮化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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