[发明专利]一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关

摘要

本发明涉及一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，解决了现有技术中开关寿命短、损耗大、最高工作电压受限等问题，其技术方案是构建一种p+-i-n+体结构的光触发GaAs雪崩开关，包括半绝缘基区i层、重掺杂n⁺层、重掺杂p⁺层、阳极金属层、阴极金属层、钝化保护层、通光孔和电极引线；半绝缘基区i层分别位于重掺杂n⁺层、重掺杂p⁺层之间，重掺杂n⁺层的上表面为阳极金属层；重掺杂p⁺层的下表面为阴极金属层，金属层上开有通光孔，使激光脉冲通过通光孔触发开关工作，阴极金属层直接与外电路连接，阳极金属层通过电极引线与外电路连接。该发明提高了开关的工作电压，减少了开关的损耗，并且提高了开关的寿命，从而提高了开关的整体性能。

主权项

一种p⁺‑i‑n⁺体结构的光触发GaAs雪崩开关，其特征在于，包括半绝缘基区i层(1)、重掺杂n⁺层(2)、重掺杂p⁺层(3)、阳极金属层(4)、阴极金属层(5)、钝化保护层(6)、通光孔(7)和电极引线(8)；所述p⁺‑i‑n⁺体结构的光触发GaAs雪崩整体为一体结构，且半绝缘基区i层(1)、重掺杂n⁺层(2)、重掺杂p⁺层(3)、阴极金属层(5)尺寸保持一致；绝缘基区i层(1)采用半绝缘GaAs材料，半绝缘基区i层(1)位于重掺杂n⁺层(2)、重掺杂p⁺层(3)之间；且重掺杂n⁺层(2)与半绝缘基区i层(1)所贴合的表面为重掺杂n⁺层(2)下表面，重掺杂p⁺层(3)与半绝缘基区i层(1)所贴合的表面为重掺杂p⁺层(3)上表面；重掺杂n⁺层(2)的上表面为阳极金属层(4)；重掺杂p⁺层(3)的下表面为阴极金属层(5)，通光孔7在阳极金属层(4)或阴极金属层(5)中形成，使激光脉冲通过通光孔(7)触发开关工作；在重掺杂n⁺层(2)上表面未覆盖阳极金属层(4)的部分沉积钝化保护层(6)，且钝化保护层(6)、阳极金属层(4)和阴极金属层(5)三者的厚度保持一致；阴极金属层(5)直接与外电路连接，阳极金属层(4)通过电极引线(8)与外电路连接。