[发明专利]包含硅通孔的高可靠性影像传感器封装有效
申请号: | 201410677096.5 | 申请日: | 2014-11-23 |
公开(公告)号: | CN104393009A | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 秦飞;武伟;安彤;肖智轶 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种包含硅通孔的高可靠性影像传感器封装,属于影像传感器封装领域。所述封装结构包括:1.玻璃;2.晶圆,在晶圆正面制作有影像传感区和焊盘;3.通过在玻璃正面制作一层支撑墙,将玻璃同晶圆键合在一起;4.通过在晶圆背面制作硅通孔,将焊盘暴露出来,以使焊盘同后续的再分布层之间实现导通;5.在硅通孔孔内和晶圆背面依次制作钝化层、金属层、防焊层,通过上述结构组成的再分布层,将焊盘与焊球实现导通。本发明通过将硅通孔延伸到玻璃正面,使金属层与焊盘的侧面进行连接,增强了金属层与焊盘之间连接的稳定性,从而提高了结构的可靠性。另外,由于选用了干膜作为支撑墙的材料,减少了工艺步,节约了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 包含 硅通孔 可靠性 影像 传感器 封装 | ||
【主权项】:
一种包含硅通孔的高可靠性影像传感器封装结构,其特征包括: 提供晶圆,其中在晶圆正面具有多个芯片区,芯片区包括位于中央的影像传感区和四周边缘的若干个焊盘; 玻璃,将玻璃正面覆盖在晶圆上,其中在玻璃正面制作有支撑墙; 硅通孔,所述硅通孔穿过晶圆、焊盘和支撑墙一直延伸到玻璃正面,并且将晶圆正面的焊盘暴露出来; 晶圆背面的再分布层结构,所述再分布层由钝化层、金属层和防焊层组成,通过制作再分布层,将晶圆正面的焊盘导通到晶圆背面预设焊球的位置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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