[发明专利]一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法

摘要

本发明是有关于一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统及方法，该系统包括：一P通道金属氧化物半导体晶体管，具有一源极连接至一电源；以及一电压控制电路，配置以输出一第一电压位准与一第二电压位准，第一电压位准与第二电压位准相异，且第一电压位准低于电源电压，其中当P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，第一电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体，而当P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，第二电压位准将施加于P通道金属氧化物半导体晶体管的基体。本发明还提供了一种抑制负偏压高温不稳定性的方法。藉此，本发明能够抑制金属氧化物半导体晶体管中的负偏压高温不稳定性，进而改善与提升电路效能。

主权项

一种抑制负偏压高温不稳定性的动态基体偏压系统，其特征在于，其至少包含：一P通道金属氧化物半导体晶体管，包含一源极、一漏极以及一栅极，其中该源极连接至一第一电源，该漏极连接至一输出端，而该栅极直接连接至一输入端以接收该输入端所输出的一输入信号；一N通道金属氧化半导体晶体管，包含一源极、一漏极以及一栅极，其中该源极连接至一第二电源，该漏极连接至该输出端，而该栅极直接连接至该输入端以接收该输入端所输出的该输入信号；以及一电压控制电路，电性耦接于该输入端，配置以根据该输入端的该输入信号来输出一第一电压位准与一第二电压位准，其中所述的第一电压位准为该第一电源电压的二分之一，所述的第二电压位准高于该第一电源电压，其中当该P通道金属氧化物半导体晶体管开启时，该N通道金属氧化半导体晶体管关闭，该第一电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的一基体，而当该P通道金属氧化物半导体晶体管关闭时，该N通道金属氧化半导体晶体管开启，该第二电压位准将施加于该P通道金属氧化物半导体晶体管的该基体。