[发明专利]一种CCD式光学定位硅片边缘二氧化硅的去除方法

摘要

本发明创造提供一种CCD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，采用双定位系统，选用普通中心定位系统与CCD光学定位系统共用，在保留原有中心定位系统的基础上增加了光学系统，既提高了整个被背处理工艺的效率，又增加了硅片边缘氧化膜去除的准确度，整个过程机械全自动操作，操作简单，生产效率高，实用性强，减少了硅片次品率的同时节约了人力成本，一种适用于大规模工业生产的去除硅片背面SiO₂膜的技术。

主权项

一种CCD光学定位式硅片边缘二氧化硅的去除方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)通过操作机械手旋转及升降将将背封工艺后待蚀刻硅片从片蓝中取出，并将所述待蚀刻硅片的背封面与硅片旋转定位台上带有吸附能力的底盘接触并固定；(2)将固定在所述待蚀刻硅片旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片通过CCD光学定位系统拍照进行自动定心并模拟计算出所述待蚀刻硅片的矢量坐标，CCD光学定位系统将计算出的待蚀刻硅片的矢量坐标与原照片进行位置比对准确无误后，将计算出的矢量坐标信息依次传递到后续工位上料机械手及后续的去边蚀刻工位；(3)经过定位后的机械手将位于旋转定位台底盘上的待蚀刻硅片取出，并将其转移至经过步骤(2)定位之后的所述去边蚀刻工位的吸附底盘上，所述蚀刻工位旋转并对所述待蚀刻硅片的边缘进行蚀刻，去除边缘二氧化硅；(4)将经过蚀刻后的硅片通过定位后的机械手传递至清洗工位进行清洗，清洗后下料装蓝。