[发明专利]一种SONOS闪存器件的编译方法

摘要

本发明提供一种SONOS闪存器件的编译方法，在进行编译操作时，第一硅栅施加的电压值与闪存器件的阈值电压值相等，第二硅栅施加的电压值大于闪存器件的阈值电压值，漏端施加电压范围为4V～6V，源端施加0V电压。本发明提供的SONOS闪存器件的编译方法，通过调整栅极以及漏端的电压来协助热电子的运动，提供足够的越过栅氧化层的能量来完成编译，提高闪存的编译效率，降低编译电流功耗，提高了器件的可靠性。

主权项

一种SONOS闪存器件的编译方法，所述闪存包括：半导体衬底，其上具有间隔设置的源端和漏端，在所述源端和漏端之间间隙的上方设置有第一硅栅和第二硅栅，所述第二硅栅与所述衬底之间设有用于存储电荷的氮化硅层；其特征在于，所述第一硅栅的高度小于所述第二硅栅和所述氮化硅层的高度；所述SONOS闪存器件的编译方法包括：在进行编译操作时，所述第一硅栅施加的电压值与所述闪存器件的阈值电压值相等，以在所述第一硅栅下的衬底区域感应出一层沟道电子；所述第二硅栅施加的电压值大于所述闪存器件的阈值电压值，所述第二硅栅施加的电压耦合到所述氮化硅层并在其下沟道感应出较厚沟道电子层；所述漏端施加电压范围为4V～6V，所述源端施加0V电压，以产生具有足够能量的热电子并在所述第二硅栅施加的电压的作用下注入所述氮化硅层完成编译。