[发明专利]一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201410653509.6 | 申请日： | 2014-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN104465987A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 赵建伟;秦丽溶;贾小亚;杨彩风 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L33/02;H01L31/109;H01L33/00;H01L31/18;C23C28/04 |
| 代理公司： | 重庆华科专利事务所 50123 | 代理人： | 康海燕;吴兴伟 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜及其制备方法。本发明要解决的技术问题是为半导体材料提供一种新选择。本发明的技术方案是一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜，包括导电衬底和生长在导电衬底上的异质结构；所述异质结构是由自下而上依次生长在衬底上的p型NiO有序多孔薄膜和n型ZnO有序多孔薄膜所构成。本发明还提供了ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜的制备方法。本发明ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜可广泛地用于紫外探测器、发光二极管和阻变存储器等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno nio 结构 有序 多孔 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/NiO异质结构有序多孔薄膜，其特征在于：包括导电衬底和生长在导电衬底上的异质结构；所述异质结构是由自下而上依次生长在衬底上的p型NiO有序多孔薄膜和n型ZnO有序多孔薄膜所构成；所述p型NiO有序多孔薄膜和n型ZnO有序多孔薄膜的孔均为圆形，且呈六方周期排列，所述孔的直径均为200～500nm，孔间距均为500nm，所述薄膜的厚度分别为100～400nm。
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