[发明专利]有机发光二极管阵列基板、电容结构的制作方法和显示器在审

专利信息
申请号: 201410648479.X 申请日: 2014-11-14
公开(公告)号: CN105655497A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 游方伟 申请(专利权)人: 上海和辉光电有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 李昕巍;郑特强
地址: 201500 上海市金山区*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开提出一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板、电容结构的制作方法及显示器,有源矩阵有机发光二极管阵列基板包括:第一基板及多个位于所述第一基板上的像素结构,像素结构包括:开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容、有机发光二极管。存储电容包括:第一电极,形成于所述第一基板上,所述第一电极包括第一金属;第一介电层,形成于所述第一电极上,所述第一介电层包括所述第一金属的氧化物;第二介电层,覆盖于所述第一介电层和所述第一基板上;以及第二电极,形成于所述第二介电层上。
搜索关键词: 有机 发光二极管 阵列 电容 结构 制作方法 显示器
【主权项】:
一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板,其特征在于,包括:第一基板;及多个像素结构,位于所述第一基板上,所述像素结构包括:开关薄膜晶体管;驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管用于驱动所述驱动薄膜晶体管;存储电容,与所述驱动薄膜晶体管电连接,并用以保存一数据信号,所述存储电容包括:第一电极,形成于所述第一基板上,所述第一电极包括第一金属;第一介电层,形成于所述第一电极上,所述第一介电层包括所述第一金属的氧化物;第二介电层,覆盖于所述第一介电层和所述第一基板上;以及第二电极,形成于所述第二介电层上;以及有机发光二极管,受所述驱动薄膜晶体管驱动以及对应所述存储电容保持的所述数据信号而发光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410648479.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top