[发明专利]有机发光二极管阵列基板、电容结构的制作方法和显示器在审
申请号: | 201410648479.X | 申请日: | 2014-11-14 |
公开(公告)号: | CN105655497A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | 游方伟 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 李昕巍;郑特强 |
地址: | 201500 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提出一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板、电容结构的制作方法及显示器,有源矩阵有机发光二极管阵列基板包括:第一基板及多个位于所述第一基板上的像素结构,像素结构包括:开关薄膜晶体管、驱动薄膜晶体管、存储电容、有机发光二极管。存储电容包括:第一电极,形成于所述第一基板上,所述第一电极包括第一金属;第一介电层,形成于所述第一电极上,所述第一介电层包括所述第一金属的氧化物;第二介电层,覆盖于所述第一介电层和所述第一基板上;以及第二电极,形成于所述第二介电层上。 | ||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 阵列 电容 结构 制作方法 显示器 | ||
【主权项】:
一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板,其特征在于,包括:第一基板;及多个像素结构,位于所述第一基板上,所述像素结构包括:开关薄膜晶体管;驱动薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管用于驱动所述驱动薄膜晶体管;存储电容,与所述驱动薄膜晶体管电连接,并用以保存一数据信号,所述存储电容包括:第一电极,形成于所述第一基板上,所述第一电极包括第一金属;第一介电层,形成于所述第一电极上,所述第一介电层包括所述第一金属的氧化物;第二介电层,覆盖于所述第一介电层和所述第一基板上;以及第二电极,形成于所述第二介电层上;以及有机发光二极管,受所述驱动薄膜晶体管驱动以及对应所述存储电容保持的所述数据信号而发光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410648479.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动OLED基板高效热处理设备
- 下一篇:一种钙钛矿太阳能电池的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择