[发明专利]低成本半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种低成本半导体器件制造方法和使用该方法制造的半导体器件。该方法包括：在半导体衬底中形成多个本体区；在本体区中形成多个栅极绝缘层和多个栅电极；在衬底的整个表面中实施毯式离子注入以在不具有掩模的情况下在本体区中形成低浓度掺杂区(LDD区)；在栅电极的侧壁处形成间隔物；以及实施高浓度的离子注入以在LDD区周围形成高浓度的源极区和高浓度的漏极区。根据本实施例，器件具有良好的电特性，并且同时降低了制造成本。由于在形成高浓度的源极区和漏极区时实施倾斜和旋转共同注入，所以潜在地省去了LDD掩模步骤。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底中制备第一区和第二区；在所述第一区中形成具有高浓度掺杂剂的第一本体区以形成高阈值电压器件；在所述第二区中形成具有低浓度掺杂剂的第二本体区以形成低阈值电压器件；在所述第一本体区和所述第二本体区之上形成栅电极；将第二导电类型的掺杂剂毯式注入到所述第一本体区和所述第二本体区中以形成低掺杂漏极(LDD)区；紧邻所述栅电极形成间隔物；以及源极‑漏极注入第二导电类型的掺杂剂以形成在所述间隔物之下延伸的低掺杂延伸部和低电阻的源极/漏极区，其中，所述源极‑漏极注入包括倾斜和旋转注入，并且其中，所述毯式注入和所述源极‑漏极注入足以补偿足够的所述高阈值电压器件的所述第一本体区，以确保在所述源极/漏极区与沟道区之间的低电阻连接。