[发明专利]半导体基底/含铬双金属碱式磷酸盐光电极及其制备方法

摘要

本发明提供了一种半导体基底/含铬双金属碱式磷酸盐光电极及其制备方法，本发明是将过渡金属盐与硝酸钾加入镀铬废液中配成电解液，转移至电解池中，以半导体基底作为工作电极，在室温下电沉积，在负电势下，溶液中的硝酸根在工作电极上还原产生氢氧根，溶液中的金属离子与氢氧根反应，沉积在半导体表面，将得到的沉积氢氧化物的半导体基底在磷酸盐缓冲溶液中进行光电化学处理，得到半导体基底/双金属碱式磷酸盐光电极。该方法操作简单，反应条件温和，而且利用镀铬废液作为反应原料，适用于镀铬废液中金属元素的高效回收和高值利用。该半导体基底/双金属碱式磷酸盐光电极可直接用于光电化学催化反应，反应性能显著提高。

主权项

一种半导体基底/含铬双金属碱式磷酸盐光电极，由含铬双金属碱式磷酸盐生长于半导体基底上构成，含铬双金属碱式磷酸盐的化学式为：M_aCr_b(OH)_c(PO₄)_d，其中M为Ni²⁺或Zn²⁺，a:b表示镍或锌离子与铬离子的摩尔比为5‑1:1，c表示氢氧根的摩尔数，d表示磷酸根的摩尔数，且(a+b):c＝1‑0.5:1，(a+b):d＝3‑4:1；所述的半导体基底为TiO₂或ZnO的纳米棒，纳米棒直径为90～120nm，厚度为0.5～3μm，面积为1～10cm²。