[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410645228.6 | 申请日： | 2014-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN104638000B | 公开（公告）日： | 2018-03-20 |
| 发明（设计）人： | 西森理人;吉川俊英 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 朱胜,李春晖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法。其中，一种半导体器件包括形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；形成在第二氮化物半导体层和第一氮化物半导体层的一部分中的元件隔离区域；形成在第二半导体层和元件隔离区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；以及以从漏电极的侧表面的上部突出的方式形成的漏极场板。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：形成在衬底上方的第一氮化物半导体层；形成在所述第一氮化物半导体层上方的第二氮化物半导体层；形成在所述第二氮化物半导体层和所述第一氮化物半导体层的一部分中的元件隔离区域；形成在所述第二氮化物半导体层和所述元件隔离区域上方的栅电极、源电极以及漏电极；以及以从所述漏电极的每个侧表面的上部突出的方式形成在所述第二氮化物半导体层和所述元件隔离区域上方的漏极场板。
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