[发明专利]一种超结器件以及其拐角结构的布局设计和制造工艺在审

专利信息
申请号: 201410629307.8 申请日: 2014-11-11
公开(公告)号: CN105655384A 公开(公告)日: 2016-06-08
发明(设计)人: 胡浩 申请(专利权)人: 成都星芯微电子科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610200 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种超结器件的拐角结构及采用该拐角结构的超结器件,将拐角区域内的长条形的第二导电类型的掺杂图案,根据拐角的边界变化(由直线变成了曲线),作出相应的结构图案优化调整,使在拐角区域内的第一导电类型掺杂与第二导电类型掺杂的面积比例与普通元胞区域内的比例几乎相同,使第一导电类型杂质电荷与第二导电类型杂质的电荷互相平衡,从而使该超结器件在拐角处也能达到与普通元胞区几乎相同的耐压值。
搜索关键词: 一种 器件 及其 拐角 结构 布局 设计 制造 工艺
【主权项】:
一种超级结器件的拐角结构,其特征在于:所述元胞形状为长方形,在拐角处采用多个线段构成的弧形代替长方形,优化拐角的末端结构,使拐角的末端的第一导电类型掺杂浓度与第二导电类型的掺杂浓度比例达到设计的理想值M。
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