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[发明专利]一种超结器件以及其拐角结构的布局设计和制造工艺-CN201410629307.8在审
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-11-11 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种超结器件的拐角结构及采用该拐角结构的超结器件，将拐角区域内的长条形的第二导电类型的掺杂图案，根据拐角的边界变化(由直线变成了曲线)，作出相应的结构图案优化调整，使在拐角区域内的第一导电类型掺杂与第二导电类型掺杂的面积比例与普通元胞区域内的比例几乎相同，使第一导电类型杂质电荷与第二导电类型杂质的电荷互相平衡，从而使该超结器件在拐角处也能达到与普通元胞区几乎相同的耐压值。
一种器件及其拐角结构布局设计制造工艺

[发明专利]基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺-CN201410478929.5在审
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于螺旋状多晶硅式场效应管充电的半导体启动器件，电阻的第一端和场效应管的漏极连接作为输入端，电阻的第二端、场效应管的栅极、电子开关的第一端和二极管的负极连接，场效用管的源极、反馈控制模块的负极信号输入端与电容的第一端连接作为输出端，反馈控制模块的输出端与电子开关的控制输入端连接，反馈控制模块的正极信号输入端、电容的第二端、电子开关的第二端、稳压二极管的正极均接地。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，用BCD工艺集成场效应管、电阻和稳压二极管。本发明所述半导体启动器件采用集成的场效应管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以电源效率高、损耗小、发热量低。
基于螺旋状多晶场效应充电半导体启动器件制造工艺

[发明专利]基于三极管充电的半导体启动器件及制造工艺-CN201410477845.X在审
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三极管充电的半导体启动器件，低压电源模块的一端与电阻的一端连接，电阻的另一端与NPN三极管的基极和电子开关的第一端连接，反馈控制模块的正极输入端、NPN三极管的发射极和电容的第一端连接作为电源输出端，低压电源模块的另一端与NPN三极管的集电极连接作为电源输入端，电容的第二端、电子开关的第二端和反馈控制模块的负极输入端均接地。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，用BCD工艺集成NPN三极管。本发明所述半导体启动器件采用集成的NPN三极管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以电源效率高、损耗小、发热量低，在完成充电后能自动关断电路，能耗低。
基于三极管充电半导体启动器件制造工艺

[实用新型]一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路-CN201420517690.3有效
发明人：茹纪军 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低功耗低噪声高电源电压抑制比的电压基准源电路，包括第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管、增强型晶体管和电容，第一电阻、第二电阻、第一耗尽型晶体管、第二耗尽型晶体管、第三耗尽型晶体管和增强型晶体管依次串联，第二电阻和电容组成RC滤波器并联在增强型晶体管漏极和源极之间。本实用新型所述电压基准源电路利用耗尽型晶体管和增强型晶体管特有的零阈值电流源和负温度系数阈值电压特性，以及RC滤波器结构实现电压参考源，特别适合应用于高性能电源管理芯片的电压参考源，结构简单，性能突出，更适合于RF领域应用的电源管理芯片的要求。
一种功耗噪声电源电压抑制基准电路

[发明专利]基于场效应管充电的半导体启动器件及制造工艺-CN201410477853.4在审
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于场效应管充电的半导体启动器件，包括场效应管、电子开关、低压电源模块、电阻、电容、反馈控制模块，由场效应管直接为电容充电，由反馈控制模块配合电子开关和低压电源模块根据输出电压大小控制场效应管的通、断。本发明还公开了一种半导体启动器件的制造工艺，主要针对场效应管Q1和低压电源模块的制造进行改进。本发明所述半导体启动器件采用场效应管直接对电容充电，因其自身导通时电阻小、功耗小，所以在输入电压较小时也能产生较大的充电电流，可降低电阻功耗和发热量；充电结束后，由反馈控制模块使电子开关导通而关断场效应管，停止充电，只有很小的漏电电流，达到降低损耗、提高电源效率的目的。
基于场效应充电半导体启动器件制造工艺

[实用新型]一种用于开关电源的高压启动电路-CN201420517657.0有效
发明人：茹纪军 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H02M1/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于开关电源的高压启动电路，包括整流桥、外置电容、第一场效应管～第四场效应管、第一电阻～第四电阻、可控硅整流器和二极管，整流桥用于将交流转变为直流电源，第一场效应管～第四场效应管、第一电阻～第四电阻、可控硅整流器和二极管共同组成可控充电电路为外置电容限压充电。由于本实用新型能够在外置电容电压达到一定值如5V时，不再对外置电容补充电荷，所以系统功耗低，能满足较高的能耗标准，且能够减少外部芯片内部的保护元器件个数，降低了应用成本。
一种用于开关电源高压启动电路

[发明专利]一种半导体器件终端环的拐角结构、制造工艺及光掩膜板-CN201410324369.8在审
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-11-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件终端环的拐角结构，以终端环的圆心为中心，弧形拐角部位由内向外分为多个掺杂浓度由内而外逐渐减小的弧形条状区域。本发明还公开了一种拐角结构的制造工艺，包括旋涂光刻胶，并使用以下光掩膜板进行曝光、显影：以光掩膜板的中点为中心，光掩膜板的弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小；通过P型或N型杂质注入形成掺杂；高温氧化推结；通过N型或P型注入形成场截止环；形成场板。本发明还公开了一种用于半导体器件终端环制造的光掩膜板，包括弧形拐角部位，以光掩膜板的中点为中心，弧形拐角部位的透光区面积由内而外逐渐减小。本半导体器件终端环拐角部位的掺杂浓度逐渐变化，实现平滑过渡，提高耐压性能。
一种半导体器件终端拐角结构制造工艺光掩膜板

[发明专利]一种半导体器件终端的平边结构、制造工艺及光掩膜板-CN201410326054.7无效
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2014-10-22 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件终端的平边结构，以终端的平边的中点为中心，平边设有中心区域和位于中心区域两端以外的掺杂浓度由内而外依次降低的多个周边区域。本发明还公开了一种平边结构的制造工艺，包括旋涂光刻胶，并使用以下光掩膜板进行曝光、显影：光掩膜板的中心区域两端以外周边区域的透光区面积由内而外逐渐减小；通过N型或P型杂质注入形成掺杂；高温氧化推结；通过N型或P型注入形成场截止环；形成场板。本发明还公开了一种用于半导体器件终端制造的光掩膜板，其中心区域两端以外周边区域的透光区面积由内而外逐渐减小。本发明通过将半导体器件终端的平边由中间向两边逐渐降低掺杂浓度，能做到较短的终端长度或较低的导通电阻。
一种半导体器件终端结构制造工艺光掩膜板

[实用新型]一种新型的稳压器电路结构-CN201320523195.9有效
发明人：胡浩 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的稳压器电路结构，包括偏置电流源、第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、二极管和电容，本实用新型提供了一种简单、经济、有效的新型稳压器电路结构，本电路结构具有降压稳压功能，不需要传统电路结构中的比较电压点，可以规避传统结构的上电时序问题，是一种自适应的降压稳压结构。
一种新型稳压器电路结构

[实用新型]一种新型LED驱动拓扑电路-CN201320393938.5有效
发明人：黄云川 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-07-04 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型LED驱动拓扑电路，包括直流电源、变压器、LED控制芯片、内部稳压源、第一电容、第二电容、电阻、场效应管、第一二极管、第二二极管、第一发光二极管和第二发光二极管。电路启动时，输入电源经过变压器初级第一线圈的抽头，然后经过第二二极管，由LED控制芯片内部的稳压源给第一电容充电。当第一电容电压达到正常电压值之后，驱动LED控制芯片开始工作。本实用新型在现有LED驱动拓补电路上进行改进，从而有效提高工作效率与减小了电路的功耗，同时减缓LED设备的老化，对LED设备起到保护作用，电路结构简单，有利于推广。
一种新型 led 驱动拓扑电路

[实用新型]一种用于开关电源或LED驱动芯片的栅驱动电路-CN201320323484.4有效
发明人：周文质 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-06-06 - 公布日： 2013-11-06 - 主分类号： H02M1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于开关电源或LED驱动芯片的栅驱动电路，包括高压电源、电平移位模块、非门和两个NMOS管，栅驱动电路还包括比较器、电子开关和PMOS管，比较器的正极信号输入端和PMOS管的漏极均与高压电源的正极连接，比较器的负极信号输入端输入参考电压，比较器的输出端与电子开关的控制端连接，电子开关的两端分别与PMOS管的栅极和电平移位模块的输出端连接，PMOS管的源极与第一NMOS管的源极连接。本实用新型所述栅驱动电路中，当高压电源的电压较低时，栅驱动电路的输出电压更接近高压电源为高电压时对应的输出电压，从而使栅驱动电路的输出电压受高压电源的影响更小，有效避免了外置MOS管的半开启问题。
一种用于开关电源 led 驱动芯片电路

[实用新型]一种原边反馈电流探测装置-CN201320026037.2有效
发明人：黄云川 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种原边反馈电流探测装置，其输入端与辅助绕组的反馈输出端连接，所述原边反馈电流探测装置包括多个比较器和斜率计算器，每一个所述比较器的正极输入端均与所述辅助绕组的反馈输出端连接，每一个所述比较器的负极输入端分别输入不同的参考电压，所述辅助绕组的反馈输出端和每一个所述比较器的输出端分别与所述斜率计算器的输入端对应连接，所述斜率计算器的输出端为所述原边反馈电流探测装置的输出端。本实用新型通过多个比较器可以获得多个输出电压即及对应时刻，利用斜率计算器可以根据多个电压和对应时刻的信息模拟出具有一定斜率的直线，该直线与辅助绕组的反馈输出电压的交点即为推算电压转折点，其精度远高于传统装置。
一种反馈电流探测装置

[发明专利]无源低功耗超高频电子标签芯片及低功耗控制方法-CN201310113390.9有效
发明人：茹纪军 -专利权人： 成都星芯微电子科技有限公司
申请日： 2013-04-02 - 公布日： 2013-06-26 - 主分类号： G06K19/077 文献下载
摘要：本发明公开了一种无源低功耗超高频电子标签芯片，包括整流电路、稳压电路、复位电路、时钟电路、解调电路、解码器模块、循环校验模块、状态控制机模块、存储器电路、防碰撞模块、编码器模块、调制电路、电源关断控制模块和电源关断矩阵电路，电源关断控制模块通过各种输入信号判断各耗电模块的状态，通过电源关断矩阵电路实现对各耗电模块的电源启断控制，达到节能目的。本发明还公开了一种无源低功耗超高频电子标签芯片的低功耗控制方法，根据各模块的实时工作状态，在该模块需要工作时开启其电源，工作结束后关断其电源，实现整个芯片低功耗运行的目的。本发明通过对大部分模块的电源分时控制管理实现节能，有效地提升了标签芯片的整体性能。
无源功耗超高频电子标签芯片控制方法

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