[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410616511.6 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104518032B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | P·布兰德尔;M·聪德尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件包含在半导体主体的第一区域中的垂直IGFET，垂直IGFET具有在主体区带和漏电极之间的漂移区带，漂移区带具有第一导电性类型的垂直的掺杂剂分布，所述分布是第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布的叠加，所述第一掺杂剂分布随着增加与漏电极的距离而下降并且在邻近漏电极的第一区带中主导垂直的掺杂剂分布，所述第二掺杂剂分布是展宽的峰掺杂剂分布并且在邻近主体区带的第二区带中主导垂直的掺杂剂分布。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：垂直IGFET，在半导体主体的第一区域中，垂直IGFET具有在主体区带和漏电极之间的漂移区带，漂移区带具有第一导电性类型的垂直的掺杂剂分布，所述分布是第一掺杂剂分布和第二掺杂剂分布的叠加，所述第一掺杂剂分布随着增加与漏电极的距离而下降并且在邻近漏电极的第一区带中主导垂直的掺杂剂分布，所述第二掺杂剂分布是展宽的峰掺杂剂分布并且在邻近主体区带的第二区带中主导垂直的掺杂剂分布；以及进一步半导体部件，在半导体主体的第二区域中形成，其中漂移区带的第二掺杂剂分布在第二区域中不存在；其中漂移区带的垂直的掺杂剂分布在第二区带中具有局部掺杂剂最大值，并且局部掺杂剂最大值位于垂直IGFET的栅沟槽以下。
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