[发明专利]一种CIGS薄膜的非真空制备方法在审
| 申请号： | 201410611748.5 | 申请日： | 2014-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN104465320A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 黄齐鸣;易臻希;段桂生 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L31/032;H01L31/18;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司 43113 | 代理人： | 马强;周栋 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CIGS薄膜的非真空制备方法。本发明的实施步骤为：采用热注入有机合成法制备出油胺包覆的CIGS纳米晶，不经离心清洗直接将油胺包覆的CIGS纳米晶配置成纳米油墨；采用非真空方法进行涂覆，涂覆一次后在气氛保护下进行热分解退火；退火后待其降温继续进行涂覆，重复上述过程数次，得到一定厚度的CIGS前驱体薄膜；在气氛保护下采用固体硒源进行硒化退火，得到最终CIGS薄膜。本发明在传统非真空纳米油墨法制备CIGS薄膜的工艺基础上简化了工艺流程，提高了薄膜的致密性与平整度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cigs 薄膜 真空 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种CIGS薄膜的非真空制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：（1）采用热注入有机合成法制备油胺包覆的CIGS纳米晶；（2）将油胺包覆的CIGS纳米晶与粘接剂按质量比（5.45～10.90）：1混合，调配成适于涂覆的CIGS纳米油墨；（3）将CIGS纳米油墨均匀涂覆在衬底上，制备成前驱体薄膜；（4）将前驱体薄膜置于装有硒粉的双温管式炉中，通入保护气氛，进行硒化，硒化参数为：硒源温区温度为350～450℃，薄膜温区为550～600℃，硒化时间为40～60min；即得CIGS薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
