[发明专利]一种沟槽栅型半导体器件结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201410607160.2 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104319287A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 郭景贤;白玉明;张海涛 | 申请（专利权）人： | 无锡同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L21/331;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽栅型半导体器件结构，包括：衬底；至少两条相互平行排列的沟槽栅结构；将各沟槽栅结构并联的多晶硅桥；覆盖所述沟槽栅结构及所述多晶硅桥的绝缘层；位于所述多晶硅桥上方并贯通所述绝缘层的至少一个接触孔；形成于所述绝缘层表面并填充于所述接触孔内、与所述多晶硅桥欧姆接触的栅极金属层；所述多晶硅桥靠近所述沟槽栅结构的第一端，所述多晶硅桥外侧与所述沟槽栅结构第一端之间的距离为L，其中，L>0。本发明中，由于多晶硅桥避开了沟槽栅结构末端，这种连接方式可以有效降低沟槽栅结构末端栅氧化层击穿的概率，从而提高了器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟槽栅型半导体器件结构，包括：衬底；至少两条沟槽栅结构，所述沟槽栅结构形成于所述衬底中，从所述衬底正面向背面方向延伸；各沟槽栅结构之间相互平行排列；多晶硅桥，形成于所述衬底表面，并与所述沟槽栅结构接触，将各沟槽栅结构并联；绝缘层，覆盖所述沟槽栅结构及所述多晶硅桥；至少一个接触孔，所述接触孔位于所述多晶硅桥上方并贯通所述绝缘层；栅极金属层，形成于所述绝缘层表面并填充于所述接触孔内，与所述多晶硅桥欧姆接触；其特征在于：所述多晶硅桥靠近所述沟槽栅结构的第一端，所述多晶硅桥外侧与所述沟槽栅结构第一端之间的距离为L，其中，L>0。
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