[发明专利]金属层的形成工艺有效
| 申请号： | 201410602693.1 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104282536A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 义夫 | 申请（专利权）人： | 丽晶美能（北京）电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 董文倩;吴贵明 |
| 地址： | 100083 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属层的形成工艺。该形成工艺包括：步骤S1，在温度T1范围内，在基体表面进行溅射，形成厚度为30nm～100nm的第一金属层，温度T1在400～450摄氏度之间；步骤S2，将具有第一金属层的基体在温度T1下保持100s～300s对第一金属层进行退火；以及步骤S3，在温度T3范围内，在第一金属层的表面进行溅射，形成厚度A为0.1μm～10μm的第二金属层，其中温度T1大于温度T3。该金属层的形成工艺克服了传统溅射方法在金属表面形成凸起物的问题，能够形成光滑的金属表面，进而保证了良好的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 形成 工艺 | ||
【主权项】：
一种金属层的形成工艺，其特征在于，所述形成工艺包括：步骤S1，在温度T1范围内，在基体表面进行溅射，形成厚度为30nm～100nm的第一金属层，所述温度T1在400～450摄氏度之间；步骤S2，将具有所述第一金属层的所述基体在所述温度T1下保持100s～300s对所述第一金属层进行退火；以及步骤S3，在温度T3范围内，在所述第一金属层的表面进行溅射，形成厚度A为0.1μm～10μm的第二金属层，其中温度T1大于温度T3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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