[发明专利]一种发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410597096.4 | 申请日： | 2014-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104319332A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 薛蕾;肖千宇 | 申请（专利权）人： | 华灿光电(苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，属于光电子制造技术领域，包括依次层叠的衬底、缓冲层、分布布拉格反射镜、n型限制层、有源层、p型限制层、GaP窗口层、p型欧姆接触层，衬底的与缓冲层相对的一面上设置有n型欧姆接触电极，p型欧姆接触层的与GaP窗口层相反的一面上设置有p面焊线电极，GaP窗口层与p型欧姆接触层之间层叠有C元素重掺杂GaP层，p型欧姆接触层为氧化铟锡膜，p面焊线电极为Al电极。通过采用高透过率导电膜氧化铟锡代替Au/AuBe/Au做p型欧姆接触层，p面焊线电极采用以金属Al为主的电极，可以极大地减少芯片制作过程中的黄金消耗，有效地大幅降低成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括依次层叠的衬底、缓冲层、分布布拉格反射镜、n型限制层、有源层、p型限制层、GaP窗口层、p型欧姆接触层，所述衬底的与所述缓冲层相对的一面上设置有n型欧姆接触电极，所述p型欧姆接触层的与所述GaP窗口层相反的一面上设置有p面焊线电极，其特征在于，所述GaP窗口层与所述p型欧姆接触层之间层叠有C元素重掺杂GaP层，所述p型欧姆接触层为氧化铟锡膜，所述p面焊线电极为Al电极。
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