[发明专利]高介电损耗钛硅碳粉体微波吸收剂的制备方法有效
| 申请号： | 201410571175.8 | 申请日： | 2014-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN104387067A | 公开（公告）日： | 2015-03-04 |
| 发明（设计）人： | 李智敏;黄云霞;张茂林;马晓华;仲鹏 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/515 | 分类号： | C04B35/515;C04B35/626 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的高介电损耗钛硅碳粉体微波吸收剂的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1、先分别称取钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al，再将称取的钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al经球磨混合，制备出混合粉体A；步骤2、将步骤1得到的混合粉体A过200目筛，以破除团聚物，得到混合粉体B，混合粉体B的平均粒径为74μm以下；步骤3、将经步骤2得到的混合粉体B置于真空烧结炉中，先进行抽真空处理，然后进行高温固相反应，制备得到Al掺杂的高纯度Ti3SiC2相粉体微波吸收剂。本发明的制备方法，解决了现有Ti3SiC2材料存在的低纯度及低微波介电损耗的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 高介电 损耗 碳粉 微波 吸收剂 制备 方法 | ||
【主权项】：
高介电损耗钛硅碳粉体微波吸收剂的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、先分别称取钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al，再将称取的钛粉Ti、硅粉Si、碳化钛粉TiC及铝粉Al经球磨混合，制备出混合粉体A；步骤2、将步骤1得到的混合粉体A过200目筛，以破除团聚物，得到混合粉体B，混合粉体B的平均粒径为74μm以下；步骤3、将经步骤2得到的混合粉体B置于真空烧结炉中，先进行抽真空处理，然后进行高温固相反应，制备得到Al掺杂的高纯度Ti3SiC2相粉体微波吸收剂。
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