[发明专利]一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法有效
| 申请号： | 201410551209.7 | 申请日： | 2014-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN104332536A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/28 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 廖吉保;唐绍烈 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法：一，在衬底上分别依次形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层；二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构；五、重复三、四的结构，直至在第n-1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；六、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。本发明制作的发光二极管外延结构可以减少杂质对短波长光的吸收，有效提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 浓度 te 掺杂 发光二极管 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤一、在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层，在粗化层外延生长结束前降低生长温度；步骤二、在粗化层上外延第一型电流扩展层的第一层结构；步骤三、在第一型电流扩展层第一层结构上外延生长第一组超晶格；步骤四、在第一组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第二层结构； 步骤五、重复步骤三、四的结构，直至在第n‑1组超晶格上外延生长第一型电流扩展层第n层结构；步骤六、在第一型电流扩展层第n层结构生长结束后，停顿且提高反应室压力和加大载气流量，以及提高外延生长温度；步骤七、在第一型电流扩展层第n层结构上接着外延生长第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层。
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