[发明专利]等离子刻蚀设备有效
| 申请号： | 201410546545.2 | 申请日： | 2014-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN104576281B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 马克西姆·瓦瓦拉 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种等离子刻蚀设备，用于对衬底进行等离子刻蚀，包括：第一隔室，具有拥有一定横截面积和形状的等离子生成区域；等离子生成装置，用于在等离子生成区域中生成等离子；第二隔室，生成的等离子能够流入第二隔室，第二隔室限定了具有一定的大于等离子生成区域的横截面积和形状的内部；第三隔室，具有用于对具有待等离子刻蚀的上表面的衬底进行支承的衬底支承件，第三隔室具有与第二隔室的界面，以使得等离子或者一种或更多与等离子相关的刻蚀剂可流出第二隔室对衬底进行刻蚀；第二隔室的内部的横截面积与形状大体上对应于衬底的上表面；以及衬底支承件使得，在使用中，衬底与第二隔室的内部大体配准，并且衬底上表面与界面相距80mm或更少。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 刻蚀 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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