[发明专利]等离子刻蚀设备

权利要求书

1.一种等离子刻蚀设备，用于对衬底进行等离子刻蚀，所述设备包括：

第一隔室，具有等离子生成区域，所述等离子生成区域具有一定的横截面积和形状；

等离子生成装置，用于在所述等离子生成区域中生成等离子；

第二隔室，在所述第一隔室中生成的等离子能够流入所述第二隔室，其中，所述第二隔室限定了具有一定横截面积和形状的内部，并且所述内部的横截面积大于所述等离子生成区域的横截面积；

第三隔室，具有一用于对具有待等离子刻蚀的上表面的衬底进行支承的衬底支承件，其中，所述第三隔室具有与所述第二隔室的界面且所述第三隔室对所述第二隔室开放，以使得等离子或者一种或更多种与等离子相关的刻蚀剂能够从所述第二隔室自由地流到所述第三隔室以对所述衬底进行刻蚀并使得所述第二隔室中的压力与所述第三隔室中的压力相同；

其中，

所述第二隔室的所述内部的横截面积与形状大体上对应于所述衬底的上表面；

所述衬底支承件被布置以使得，在使用中，所述衬底大体上与所述第二隔室的所述内部配准，并且所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距80mm或更少；以及

待刻蚀的所述衬底以及所述第二隔室的所述内部各自具有至少一个宽度，并且所述第二隔室的所述内部的宽度与所述衬底的宽度之比在1.15到1.0范围内。

2.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第二隔室的所述内部的宽度与所述衬底的宽度之比在1.1到1.0范围内。

3.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距60mm或者更少。

4.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述衬底支承件被布置成使得，在使用中，所述衬底的上表面被放置成与所述界面相距10mm或更多。

5.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述等离子生成区域的横截面积与所述第二隔室的横截面积之比在0.07到0.7范围内。

6.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第一隔室和所述第二隔室共轴。

7.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第一隔室与所述第二隔室两者都具有圆形横截面。

8.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述第一隔室具有钟形罩形状。

9.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述界面由布置在所述第二隔室与所述第三隔室之间的间隔元件来限定。

10.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，进一步包括布置在所述衬底支承件之上或者附近的隔板以引导气体流到所述衬底附近。

11.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其中，所述衬底支承件被配置为对具有至少200mm直径的衬底进行支承。

12.根据权利要求1所述的等离子刻蚀设备，其结合有所述衬底，所述衬底使用所述衬底支承件进行支承。